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Analysis of Grain Boundary Effects Based on Location in a Diode-Type NAND Flash Memory Cell
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DOI
10.23919/SNW65111.2025.11097265 doi
其它 期刊:2025 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
作者:Jinsu Kim; Hansol Kim; Hojin Moon; Wonjun Song; Jong-Ho Bae; et al
出版日期:2025
求助人
LL 在 2026-06-16 20:03:36 发布自湖北,悬赏 10 积分
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