| 标题 |
A NiO/ β -Ga 2 O 3 Heterojunction Diode With Ultralow Turn-On Voltage via O 2 Plasma Treatment 相关领域
光电子学
材料科学
二极管
异质结
肖特基二极管
等离子体
击穿电压
电压
肖特基势垒
宽禁带半导体
功勋
低压
带隙
高压
电气工程
砷化镓
接口(物质)
功率半导体器件
阈值电压
功率(物理)
降级(电信)
发光二极管
碳化硅
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Hao Zhang; Yinchi Liu; Jining Yang; Yeye Guo; Yiwen Yu; et al 出版日期:2026-03-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)