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  Isotropic atomic layer etching of GaN using SF6 plasma and Al(CH3)3 相关领域
材料科学
蚀刻（微加工）
光电子学
等离子体刻蚀
等离子体
宽禁带半导体
表面粗糙度
氮化镓
制作
图层（电子）
分析化学（期刊）
纳米技术
化学
复合材料
物理
色谱法
病理
医学
替代医学
量子力学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Nicholas J. Chittock; Yi Shu; Simon D. Elliott; Harm C. M. Knoops; W. M. M. Kessels; et al 出版日期：2023-08-17 |
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