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Design, Simulation and Optimization of an Enhanced Vertical GaN Nanowire Transistor on Silicon Substrate for Power Electronic Applications
用于电力电子应用的硅衬底上增强型垂直GaN纳米线晶体管的设计、模拟和优化
相关领域
纳米线 材料科学 晶体管 光电子学 基质（水族馆） 硅 兴奋剂 泄漏（经济） 电压 纳米技术 电气工程 海洋学 地质学 工程类 宏观经济学 经济
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6287639/6514899/10052666.p...
AI链接 ieee.org ieee.org hal.science doaj.org hal.sciencedoi.org
DOI
10.1109/access.2023.3248630 doi
其它 期刊：IEEE Access
作者：Mohammed Benjelloun; Zahraa Zaidan; Alì Soltani; N. Gogneau; Denis Morris; et al
出版日期：2023-01-01
求助人
lilli 在 2025-12-05 10:32:16 发布自北京，悬赏 10 积分
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