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 Integration of High-k Metal Gate (HKMG) to Core/Peri Transistors of DRAM Addressing Reliability Issues 将高k金属栅极(HKMG)集成到DRAM的核心/外围晶体管以解决可靠性问题
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期刊： 作者：Chan Sic Yoon; Chong-Woo Bae; Kiseok Lee; Ho‐In Lee; Sung Ho Jang; et al 出版日期：2024-09-09 |
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