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  TSSM: Three-State Switchable Memristor Model Based on Ag/TiOx Nanobelt/Ti Configuration 相关领域
记忆电阻器
实现（概率）
记忆晶体管
材料科学
计算机科学
制作
非线性系统
国家（计算机科学）
电阻随机存取存储器
拓扑（电路）
电子工程
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神经形态工程学
电气工程
物理
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期刊：International Journal of Bifurcation and Chaos 作者：Xiaoyue Ji; Donglian Qi; Zhekang Dong; Chun Sing Lai; Guangdong Zhou; et al 出版日期：2021-06-15 |
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