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 Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Xun Cao; Xiao-Min Li; Xiang-Dong Gao; Wei-Dong Yu; Xinjun Liu; et al 出版日期：2009-10-15 |
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