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Gate-Induced Trans-Dimensionality of Carrier Distribution in Bilayer Lateral Heterosheet of MoS2 and WS2 for Semiconductor Devices with Tunable Functionality 用于具有可调功能的半导体器件的MoS2和WS2双层横向异质片中载流子分布的栅极诱导跨维度
相关领域
堆积
双层
异质结
材料科学
半导体
凝聚态物理
激子
光电子学
分子物理学
化学
物理
核磁共振
膜
生物化学
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| 其它 |
期刊:ACS Applied Nano Materials 作者:Mina Maruyama; Nanami Ichinose; Yanlin Gao; Zheng Liu; Ryo Kitaura; et al 出版日期:2023-03-22 |
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