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Electrical and structural investigation of Pt/n-type GaN Schottky contacts: The possible origin of inhomogeneous barrier Pt/n型GaN肖特基接触的电学和结构研究:非均匀势垒的可能起源
相关领域
肖特基势垒
材料科学
光电子学
凝聚态物理
金属半导体结
电接点
物理
二极管
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期刊:Materials Science and Engineering B 作者:M. Mamor; M. P. Chauvat; P. Ruterana 出版日期:2024-10-17 |
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