Electrical and structural investigation of Pt/n-type GaN Schottky contacts: The possible origin of inhomogeneous barrier

肖特基势垒 材料科学 光电子学 凝聚态物理 金属半导体结 电接点 物理 二极管
作者
Mohammed Mamor,M. P. Chauvat,P. Ruterana
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier BV]
卷期号:310: 117756-117756
标识
DOI:10.1016/j.mseb.2024.117756
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