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6-in. high-voltage GaN-based E-mode HEMTs with ultrathin barrier structures: Interface quality and its reliability
6英寸。具有超薄势垒结构的高压GaN基E模HEMT：界面质量及其可靠性
相关领域
材料科学 可靠性（半导体） 光电子学 宽禁带半导体 接口（物质） 质量（理念） 功率（物理） 复合材料 物理 毛细管数 量子力学 毛细管作用
网址
http://dx.doi.org/10.1063/5.0260365
DOI
10.1063/5.0260365 doi
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yup 在 2025-12-17 19:03:01 发布自安徽，悬赏 10 积分
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