| 标题 |
 Effect of the N-doping concentration on the formation of the wide carrot defect in 4H-SiC homoepitaxial layer grown by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor N掺杂浓度对以三氯氢硅(TCS)为硅前驱体生长的4H-SiC同质外延层中宽胡萝卜缺陷形成的影响
相关领域
三氯氢硅
材料科学
兴奋剂
图层（电子）
硅
碳化硅
光电子学
化学工程
纳米技术
复合材料
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Ning Gu; Junwei Yang; Huaping Song 出版日期：2024-09-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
zzzz
嘻嘻哈哈
Copyright
迷人的天抒
无情的聪健
ye
贪玩的秋柔
MchemG
ming2026
Nole
Sure
文LL
Momomo
清平道人
机智的舞蹈
Bi8bo626
Alex
專注完美近乎苛求
破忒头
皖公网安备34019202002308
