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A 7T-NDR Dual-Supply 28-nm FD-SOI Ultra-Low Power SRAM With 0.23-nW/kB Sleep Retention and 0.8 pJ/32b Access at 64 MHz With Forward Back Bias 相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems I Regular Papers 作者:Adrian Kneip; David Bol 出版日期:2023-01-02 |
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