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 TCAD Simulation of Novel Recess Gate Common Drain Dual Channel AlGaN/GaN HEMT for Small Signal Performance 相关领域
跨导
高电子迁移率晶体管
材料科学
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电导
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期刊：IETE Technical Review 作者：Pankaj Kumar Pal; Y. Pratap; Sneha Kabra 出版日期：2024-04-15 |
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