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 Bias-Insensitive High Linearity of N-Polar Deep Recess GaN HEMTs With Regrown GaN Cap 相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
宽禁带半导体
线性
氮化镓
功勋
肖特基二极管
高电子迁移率晶体管
泄漏（经济）
电容
肖特基势垒
图层（电子）
截止频率
无线电频率
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场效应晶体管
错配
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电子迁移率
碳化硅
温度测量
电气工程
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噪声测量
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Boyu Wang; Emre Akso; Henry Collins; Vineeta Muthuraj; Kamruzzaman Khan; et al 出版日期：2026-01-21 |
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