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 Valence-band engineering of robust p -type Ni x Ga1− x O enabling Ga2O3 p–n bipolar junction 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Z. H. Li; Y. R. Luo; N. Sun; X. J. Chen; S. H. Gu; et al 出版日期：2026-07-13 |
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