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A Novel Channel-Less SOT-MRAM with 115% TMR, 2 ns Switching, and High Bit Yield (>99.9%) |
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期刊:International Electron Devices Meeting 作者:E. Liu; Wenlong Yang; Kaiyuan Zhou; Yang Gao; Z. Ji; et al 出版日期:2024-12-07 |
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(2025-6-4)