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 Oxygen Vacancy Induced 2D Bi2SeO5 Non-Volatile Memristor for 1T1R Integration 相关领域
记忆电阻器
氧气
空位缺陷
材料科学
纳米技术
分析化学（期刊）
化学
结晶学
工程类
电气工程
环境化学
有机化学
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期刊：Nano Letters 作者：Tingting Guo; Zhidong Pan; Yuanyue Shen; Jialin Yang; Chuyao Chen; et al 出版日期：2025-05-12 |
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