Extension p-Doping of Carbon Nanotube Transistors through Nitric Oxides Annealing

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标题	Extension p-Doping of Carbon Nanotube Transistors through Nitric Oxides Annealing 相关领域材料科学退火（玻璃）肖特基势垒晶体管光电子学兴奋剂碳纳米管场效应晶体管截止频率纳米技术碳纳米管带隙电容工作职能排水诱导屏障降低宽禁带半导体电子迁移率场效应晶体管阈下传导量子隧道阈下斜率寄生电容阈下摆动
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.5c09061
DOI	10.1021/acsnano.5c09061 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Yongjae Cho; Sushanta Pal; Stephen J. Buffat; Hao-Yu Lan; Young Woo Choi; et al 出版日期：2025-11-07
求助人	xjx 在 2026-04-14 09:43:49 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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