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 Fabrication and optimization of aggressively scaled Dual-Bit/Cell Split-Gate Floating-Gate flash memory cell in 55-nm node technology 55纳米节点技术中大规模扩展的双位/单元分裂栅浮栅闪存单元的制备和优化
相关领域
晶体管
光电子学
排水诱导屏障降低
节点（物理）
闪光灯（摄影）
材料科学
阈下传导
制作
电气工程
栅氧化层
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医学
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Hualun Chen; Zhaozhao Xu; Wei Xiong; Jian Zhang; Xiaojun Xu; et al 出版日期：2022-04-16 |
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