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 Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延生长Ge掺杂（010）β-Ga2O3层的深能级缺陷
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Esmat Farzana; Elaheh Ahmadi; James S. Speck; Aaron R. Arehart; Steven A. Ringel 出版日期：2018-03-12 |
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