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  Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors 用于高击穿薄GaN晶体管的SiC衬底上AlN形核层的跨晶外延生长
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jun Lu; Jr‐Tai Chen; Martin Dahlqvist; Riad Kabouche; Farid Medjdoub; et al 出版日期：2019-11-25 |
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