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标题
Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors
用于高击穿薄GaN晶体管的SiC衬底上AlN形核层的跨晶外延生长
相关领域
材料科学 外延 成核 异质结 化学气相沉积 光电子学 晶界 宽禁带半导体 半导体 凝聚态物理 薄膜 结晶学 纳米技术 图层（电子） 化学 复合材料 微观结构 物理 有机化学
网址
https://doi.org/10.1063/1.5123374
AI链接 scitation.org hal.science hal.science kb.se diva-portal.org hal.science archives-ouvertes.fr archives-ouvertes.fr handle.net univ-lille.frdoi.org
DOI
10.1063/1.5123374 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Jun Lu; Jr‐Tai Chen; Martin Dahlqvist; Riad Kabouche; Farid Medjdoub; et al
出版日期：2019-11-25
求助人
xiaolu 在 2025-08-20 21:48:44 发布自福建，悬赏 10 积分
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