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 Simulation of CMOS logic inverter based on vertically stacked polycrystalline silicon nanosheet gate-all-around MOSFET and its electrical characteristics 基于垂直堆叠多晶硅纳米片栅全能MOSFET的CMOS逻辑反相器仿真及其电学特性
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期刊：Current Applied Physics 作者：So Ra Min; Sang Ho Lee; Jin Park; Geon Uk Kim; Ga Eon Kang; et al 出版日期：2022-09-09 |
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