| 标题 |
A Thorough Evaluation of GaN HEMT Degradation under Realistic Power Amplifier Operation 实际功率放大器工作下GaN HEMT退化的全面评估
相关领域
高电子迁移率晶体管
降级(电信)
放大器
可靠性(半导体)
电阻式触摸屏
电气工程
功率(物理)
电子工程
射频功率放大器
消散
计算机科学
晶体管
工程类
可靠性工程
物理
CMOS芯片
电压
热力学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Electronics 作者:Gianni Bosi; Antonio Raffo; Valeria Vadalà; Rocco Giofrè; Giovanni Crupi; et al 出版日期:2023-07-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|