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 Synergistic impact of InGaN cap, recessed gate, and aluminum composition engineering on E-mode AlGaN channel HEMTs 相关领域
材料科学
光电子学
频道（广播）
铝
作文（语言）
冶金
电子工程
宽禁带半导体
氮化镓
组分（热力学）
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| 其它 |
期刊：Phosphorus, sulfur, and silicon and the related elements 作者：Wagma Hidayat; Muhammad Usman 出版日期：2026-01-12 |
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(2025-6-4)
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