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 Highly transparent bipolar resistive switching memory with In-Ga-Zn-O semiconducting electrode in In-Ga-Zn-O/Ga2O3/In-Ga-Zn-O structure 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaobing Yan; Hua Hao; Y. F. Chen; Yefan Li; Writam Banerjee 出版日期：2014-09-01 |
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