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标题
Fully Vertical GaN-on-Si power MOSFETs
全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
相关领域
基质(水族馆) 材料科学 制作 光电子学 拓扑(电路) 数学 组合数学 医学 海洋学 地质学 病理 替代医学
网址
DOI
10.1109/led.2019.2894177 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Riyaz Abdul Khadar; Chao Liu; Reza Soleimanzadeh; Elison Matioli
出版日期:2019-01-22
求助人
哈哈哈哈 在 2025-12-12 11:18:27 发布自陕西,悬赏 10 积分
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