Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations

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标题	Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations 用互补实验和模拟解释GaN/GaAs纳米结构的液滴外延生长机制相关领域外延材料科学纳米结构光电子学分子束外延纳米技术工程物理物理图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c07945
DOI	10.1021/acs.jpcc.3c07945 doi
其它	期刊：The Journal of Physical Chemistry C 作者：Guy Tsamo; Alla G. Nastovjak; Nataliya L. Shwartz; Philip E. Hoggan; C. Robert‐Goumet; et al 出版日期：2024-03-13
求助人	snakersnaker 在 2025-12-04 10:03:21 发布自湖北，悬赏 10 积分
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