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 Synaptic behaviour of TiO x /HfO2 RRAM enhanced by inserting ultrathin Al2O3 layer for neuromorphic computing 超薄Al2O3层增强TiO x/HfO2 RRAM的神经形态计算突触行为
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Debashis Panda; C-A Chu; Arushi Pradhan; S Chandrasekharan; Bhaskar Pattanayak; et al 出版日期：2021-02-05 |
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