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 Novel Integrated Double pMOS SOI-LIGBT With Low Loss and High Short-Circuit Capability 具有低损耗和高短路能力的新型集成双pMOS SOI-LIGBT
相关领域
PMOS逻辑
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
电气工程
集成电路
电子工程
工程类
晶体管
电压
硅
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jie Wei; Jinlong Lu; Kaiwei Dai; Jialei Tan; Renkuan Liu; et al 出版日期：2024-09-16 |
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