First Demonstration of Vertical Bit-Line 1T1C 3D DRAM Based-On Stacked Dual-Gate IGZO FETs with Excellent P/NBTS and High On-State Current

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标题	First Demonstration of Vertical Bit-Line 1T1C 3D DRAM Based-On Stacked Dual-Gate IGZO FETs with Excellent P/NBTS and High On-State Current
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11532758/11532612/115328...
DOI	10.1109/imw68301.2026.11532887 doi
其它	期刊：2026 IEEE International Memory Workshop (IMW) 作者：Xuanming Zhang; Fuxi Liao; Yue Zhao; Guanhua Yang; Menggan Liu; et al 出版日期：2026-05-27
求助人	舒心的芙在 2026-08-06 16:40:58 发布自福建，悬赏 10 积分
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