Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

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标题	Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy
网址	https://doi.org/10.1063/5.0165894
DOI	10.1063/5.0165894 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Shingo Ogawa; Hidetoshi Mizobata; Takuma Kobayashi; Takayoshi Shimura; Heiji Watanabe 出版日期：2023
求助人	waitingfor 在 2026-06-23 21:53:29 发布自江苏，悬赏 10 积分
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