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标题
Novel 2000 V normally-off MOS-HEMTs using AlN/GaN superlattice channel
采用AlN/GaN超晶格沟道的新型2000 V常关MOS-HEMTs
相关领域
高电子迁移率晶体管 超晶格 光电子学 材料科学 晶体管 热稳定性 击穿电压 氮化镓 拓扑（电路） 频道（广播） 电压 电气工程 物理 纳米技术 工程类 图层（电子） 量子力学
网址
http://dx.doi.org/10.1109/ISPSD.2019.8757585
DOI
10.1109/ISPSD.2019.8757585 doi
求助人
开放似狮 在 2025-07-19 15:56:40 发布自陕西，悬赏 10 积分
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