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标题
A novel AlN/β-Ga2O3 high electron mobility transistor with 2 kV and 600 GHz operation
一种新颖的2 V、600 GHz工作的AIN/β-Ga 2 O3高电子迁移率晶体管
相关领域
材料科学 光电子学 高电子迁移率晶体管 带隙 半导体 微波食品加热 宽禁带半导体 晶体管 异质结 兴奋剂 电子迁移率 氮化镓 电压 电气工程 纳米技术 图层（电子） 计算机科学 电信 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s00542-025-05927-9
DOI
10.1007/s00542-025-05927-9 doi
其它 期刊：Microsystem Technologies
作者：Trupti Ranjan Lenka; Tanjim Rahman; Mano Balo Sankar Muthu; Injamamul Hoque Emu; Hieu Pham Trung Nguyen
出版日期：2025-08-12
求助人
奕奕 在 2025-09-16 15:13:38 发布自湖北，悬赏 10 积分
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