Defects in Ge and GeSn and their impact on optoelectronic properties

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标题	Defects in Ge and GeSn and their impact on optoelectronic properties 锗和锗硅中的缺陷及其对光电性能的影响相关领域材料科学制作光电子学光子学瓶颈兴奋剂半导体商业化纳米技术工程物理计算机科学物理医学病理嵌入式系统政治学法学替代医学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0218623
DOI	10.1063/5.0218623 doi
其它	期刊：Applied Physics Reviews 作者：Andrea Giunto; Anna Fontcuberta i Morral 出版日期：2024-12-01
求助人	Masanao 在 2025-08-28 19:28:37 发布自北京，悬赏 10 积分
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