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  Single-photon avalanche diode fabricated in standard 55 nm bipolar-CMOS-DMOS technology with sub-20 V breakdown voltage 采用标准55 nm双极CMOS-DMOS技术制造的单光子雪崩二极管，击穿电压低于20 V
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期刊：Optics Express 作者：Won-Yong Ha; Eunsung Park; Doyoon Eom; Hyo-Sung Park; Daniel Chong; et al 出版日期：2023-03-21 |
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