| 标题 |
 Uniform Wafer-scale MOCVD homoepitaxy of β-Ga2O3 on 2-inch (010) substrates 相关领域
外延
金属有机气相外延
材料科学
化学气相沉积
表征（材料科学）
光电子学
基质（水族馆）
限制
表面光洁度
衍射
表面粗糙度
纳米技术
沉积（地质）
原子力显微镜
工作（物理）
方向（向量空间）
不可用
平面（几何）
数码产品
晶体生长
曲面（拓扑）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Physics B 作者：Xuanze Zhou; Haozhong Wu; Yi Ding; Ziyuan Wang; Zhaowei Zhou; et al 出版日期：2025-10-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
浮游
无极微光
cdercder
AllRightReserved
dde
董科见
甘州区瘤子
Twonej
Starwalker
OK
殷勤的紫槐
arniu2008
ww2026
Nexus
eric888
wanci
畔畔
GingerF
Moonpie
嘻嘻哈哈
皖公网安备34019202002308
