Buffer-free HEMT with Ultra-Thin AlN Back Barrier and GaN channel Suppressing Drain Lag and Quiescent Drain Current Drift

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标题	Buffer-free HEMT with Ultra-Thin AlN Back Barrier and GaN channel Suppressing Drain Lag and Quiescent Drain Current Drift
网址	https://doi.org/10.1109/LED.2026.3673945
DOI	10.1109/LED.2026.3673945 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yachao Zhang; Kelin Wang; Xing Chen; Wenjun Liu; Hong Zhou; et al 出版日期：2026
求助人	Sue kong 在 2026-03-23 13:37:53 发布，悬赏 10 积分
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