| 标题 |
High-Sensitivity and Fast DUV Ga 2 O 3 Photodetectors for Elevated Temperatures Operation via Bottom-Up Diffusion Doping 相关领域
光电探测器
材料科学
光电子学
兴奋剂
砷化镓
扩散
硅
光电导性
半导体材料
载流子寿命
杂质
宽禁带半导体
温度测量
锌化合物
光学
光电二极管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:C. Li; Haoyu Su; Xiaohu Hou; Zhiyu Gan; Zhixin Peng; et al 出版日期:2026-01-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)