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 Selectivity between SiO2 and SiNx during Thermal Atomic Layer Etching Using Al(CH3)3/HF and Spontaneous Etching Using HF and Effect of HF + NH3 Codosing Al（CH3）3/HF热原子层刻蚀和HF自发刻蚀过程中SiO2和SiNx之间的选择性以及HF+NH3共投加的影响
相关领域
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期刊：Chemistry of Materials 作者：Marcel Junige; Steven M. George 出版日期：2024-07-01 |
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