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 Non-Volatile Flash Memory on Ge With an Oxidation-Induced Self-Assembled Charge Trapping Layer 具有氧化诱导自组装电荷俘获层的锗上非易失性闪存
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Choonghyun Lee; Xiang Ding; Zhangsheng Lan; Jirong Liu; Chu Yan; et al 出版日期：2022-04-12 |
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zyc
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