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标题
Realization of DTMOS based 6T SRAM cells and their performance analysis at 32nm technology node
基于DTMOS的6T SRAM单元的实现及其在32nm工艺节点的性能分析
相关领域
静态随机存取存储器 计算机科学 隐藏物 节点（物理） 网络拓扑 香料 实现（概率） 晶体管 访问时间 MOSFET 拓扑（电路） 电子工程 计算机硬件 电气工程 计算机网络 工程类 数学 统计 结构工程 电压
网址
https://doi.org/10.1109/vitecon58111.2023.10157250
DOI
10.1109/vitecon58111.2023.10157250 doi
其它 期刊：
作者：Divesh; Jatin Jatin; Keshav; Neeta Pandey
出版日期：2023-05-05
求助人
李沐唅 在 2025-05-08 20:53:43 发布自贵州，悬赏 10 积分
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