First-principles study of phosphorus diffusion in silicon: Interstitial- and vacancy-mediated diffusion mechanisms

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标题	First-principles study of phosphorus diffusion in silicon: Interstitial- and vacancy-mediated diffusion mechanisms
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.1562342
DOI	10.1063/1.1562342 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang-Yang Liu; Wolfgang Windl; Keith M. Beardmore; Michael P. Masquelier 出版日期：2003-03-24
求助人	独特流沙在 2026-09-30 14:44:42 发布自江苏，悬赏 10 积分
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