| 标题 |
 Study of the Influence of Different Gate Oxide Traps on Threshold Voltage Drift of SiC MOSFET Based on Transient Current 相关领域
阈值电压
MOSFET
存水弯（水管）
材料科学
碳化硅
时间常数
光电子学
瞬态（计算机编程）
过驱动电压
电压
俘获
晶体管
量子隧道
电气工程
物理
气象学
冶金
生态学
工程类
操作系统
生物
计算机科学
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| 网址 | |
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Chunsheng Guo; Shaoxiong Cui; Yumeng Li; B. B. Yao; Yamin Zhang; et al 出版日期：2024-05-07 |
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