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标题
Tri-Mode Resistive Switching in HfO x -Based RRAM for Reconfigurable In-Memory Computing
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DOI
10.1109/ted.2026.3733922 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Yiwei Duan; Yuqi Liu; Kui Wen; Xudong Feng; Jiajia Liu; et al
出版日期:2026-01-01
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Saturn 在 2026-10-28 00:58:14 发布自陕西,悬赏 10 积分
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