| 标题 |
 Analysis of GaN HEMT Degradation under RF Overdrive Stress 相关领域
高电子迁移率晶体管
跨导
材料科学
阈值电压
光电子学
肖特基二极管
肖特基势垒
泄漏（经济）
降级（电信）
氮化镓
压力（语言学）
电气工程
击穿电压
电压
晶体管
工程类
复合材料
二极管
宏观经济学
哲学
经济
图层（电子）
语言学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) 作者：Yuhan Xie; RongSheng Chen; Chang Liu; YiQiang Chen; Yan Ren 出版日期：2021-08-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
潇洒的惋清
Criminology34
Nole
愉快的真
大力的冬萱
loii
OK
Sshwcgd
whisper
dxp123
SJH
火星上的菲鹰
厘米
嘉心糖
YifanWang
范特西
fengfeiyang
lizishu
皖公网安备34019202002308
