Rate-controlled cycle etching of GaN by cycle exposure to BCl3 and F2-added Ar plasma at a substrate temperature of 400 °C

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标题	Rate-controlled cycle etching of GaN by cycle exposure to BCl3 and F2-added Ar plasma at a substrate temperature of 400 °C
网址	https://pubs.aip.org/avs/jvb/article-pdf/doi/10.1116/5.02397...
DOI	10.1116/5.0239755 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B 作者：Shohei Nakamura; Atsushi Tanide; Soichi Nadahara; Kenji Ishikawa; Masaru Hori 出版日期：2025-01-27
求助人	晶镓万岁在 2026-06-02 20:12:09 发布自山东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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