Heteroepitaxial Growth of α-Ga2O3 by MOCVD on a-, m-, r-, and c-Planes of Sapphire

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标题	Heteroepitaxial Growth of α-Ga2O3 by MOCVD on a-, m-, r-, and c-Planes of Sapphire
网址	https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5c00183
DOI	10.1021/acs.cgd.5c00183 doi
其它	期刊：Crystal Growth & Design 作者：Khai D. Ngo; Indraneel Sanyal; Matthew D. Smith; Martin Kuball 出版日期：2025
求助人	xiaolu 在 2026-05-07 17:39:43 发布自福建，悬赏 10 积分
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