Annealing of hydrogen-induced defects in RF-plasma-treated Si wafers: ex situ and in situ transmission electron microscopy studies

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标题	Annealing of hydrogen-induced defects in RF-plasma-treated Si wafers: ex situ and in situ transmission electron microscopy studies
网址	https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/29/295401
DOI	10.1088/0022-3727/44/29/295401 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：C Ghica; L C Nistor; S Vizireanu; G Dinescu 出版日期：2011
求助人	谭烨琦在 2026-03-05 15:40:05 发布自湖南，悬赏 10 积分
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