Secondary defects of as-grown oxygen precipitates in nitrogen doped Czochralski single crystal silicon

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标题	Secondary defects of as-grown oxygen precipitates in nitrogen doped Czochralski single crystal silicon
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107583
DOI	10.1016/j.mssp.2023.107583 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Huan Tuo; Yun Liu; Minghao Li; Rongwang Dai; Hao Wang; et al 出版日期：2023-05-09
求助人	明亮的冬天在 2026-07-29 12:52:54 发布自重庆，悬赏 10 积分
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